برق 102. تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

خرید این محصول

» :: صفت 102. تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به سمت عامل ناخالصی برای کاربردهای اسم قابل تنظیم مجدد

تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به آژانس ناخالصی از بهر کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به غرض بالا بردن انعطاف در طرح‌ریزی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D چهر لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به غرض ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. تعیین نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند آتی این روش در ساختن اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

خرید این محصول