برق 9. فرضیه بمب های الکترومغناطیسی

خرید این محصول

» :: برق 9. تئوری بمب های الکترومغناطیسی

فرضیه مواد منفجره های الکترومغناطیسی

چکیده

هدایت انرژی میانجیگری بشر یک حکایت تخیلی علمی نمی باشد. این تسلیحات واقعی می باشند که در سناریو های حقیقی مورد آزمایش قرار باده گیرند... و کشورهایی که بسیج استفاده از این انرژی های ارشاد شده را ندارند از حرکت باز می ایستند و یا بدتر با استفاده از تجهیزات سنتی و از کار افتاده جنگی ، متحمل شکست می گردند. آن ها پیشرفتی نداشته و همانند تمدنی می گردند که همچنان به تیر و کمان خویش وابسته بوده و در برابر اسلحه و گلوله و بمب به زانو در می آیند.

باب این فصل ، تئوری HPM و اصول طراحی کلی که در فصل قبل معرفی شد ، مفاهیم مربوط به بمب های الکترونیکی را تعریف می کند. بمبل الکترونیکی ما حاوی منبع توان HPM ، خیزاب بر مناسب و یک آنتن /الکترود بازتابنده می باشد. پالس هایی که توسط منبع HPM ابداع می گردد به چهره امواج مستطیلی شکل می باشد.

خرید این محصول

برق 4. تاثیر کاربرد بازده انرژی بر روی شبکه توزیع

خرید این محصول

» :: برق 4. تاثیر کاربرد بازده انرژی بر چهر کانال توزیع

تاثیر کاربرد بازده انرژی بر روی کانال پخش

چکیده

بازده توان برای بازارهای پیشرفته برق قضا مهمی به شمار می آید. توجه به راندمان , روی تحمل و تعهدات شرکتی به سمت عنوان یک امر کلیدی در ارتباط با تسهیلات جهانی به شمار می آید. این مقاله روش های مراکز پدیدآوری برق ایتالیا را در بستگی با بازده انرژی به منظور کاهش مصرف برق از طریق فعالیت هایی که به مشتریان ارائه می گردد توضیح می دهد.

از سال 2004 , اهداف مربوط به ذخایر انرژی سالانه میانجیگری رسم گذاران ایتالیایی که شامل موسسه ذخیره انرژی (ESCO) می باشد تاسیس شد.

به سمت دلیل اهمیت و پذیرفتاری موقعیت بازاری و پیشرفت های قابل حصول , شرکت انل نقش استراتژیکی را برای دستیابی به اهداف ملی و استفاده از انرژی به طور منطقی بازی می کرد.

خرید این محصول

برق 16. نمایشگر کنترل مسیر الکترون

خرید این محصول

» :: برق 16. نمایشگر کنترل جاده الکترون

نمایشگر کنترل مسیر الکترون ( امعان )

نمایشگر بازدید جاده الکترون یا ECD برای اجزای مربوط به الکترونگاتیو به خصوص مولکول های کلرید، فلورید و برمید انتخابی می باشد. این به سمت برخی از این اجزا در حد بخش هایی به ازای هر تریلیون یا ppt حساس می باشد. نمایشگر ECD احتیاج به سمت نیتروژن یا آرگون 5 درصد و متان برای راه اندازی شدن دارد. نمایشگر ECD فورا در مجاورت با تیرک پشتی در سمت راست جدار بر روی شاسی SRIGC شما نصب می گردد. دو سیم BNC آند و کاتد را به ترتیب به آپلیفایر ECD متصل می کند. برملا عامل ECD شامل یک فولاد ضد زنگ سیلندری حاوی 5 میلی کوریس نیکل رادیو اکتیو 63 در یک آون بسته می باشد که از نظر پایداری حرارتی قابل کنترل با توجه به دمای پیرامونی نسبت به 375 درجه سلسیوس می باشد. از ثانیه جایی که ردیاب یا آشکار کننده حایز تنها 5 میلی کوریس نیکل 63 می باشد از این رو ECD توسط General License پوشش داده می شود که نیاز به آزمون مالش دادن دوره ای و پر کردن یک فرم با وضعیت و حالت مربوط به سازمان سلامت دارد. برگه سازی کردن برای کسب کردن یک منبع رادیو اکتیو شامل ECD دستی مرتبط به Valco ضروری می باشد. این برگه سازی انتقال دهنده مالکیت مستقیم ECD به شما از طرف Valco است، SRI آماده کننده تاسیسات ECD و GC می باشد. چهار سند بااهمیت از بهر بررسی کردن وجود دارد: 1- مدرک مربوط به منبع مهر و موم شده 2- شرایط برای پذیرش کلی ابزار مجاز 3- آزمون مشخصات و 4- گزارش مربوط به منبع انتقال. Valco امکان‌پذیر است آدرس های شما را نسبت به رونوشت ها چندگانه از گزارش مربوط به منبع انتقال پرینت بگیرد که توسط شما و حوزه ای با حالت مناسب و توانایی محلی کامل می گردد. اسناد دیگر با ردیاب یا آشکار کننده ECD باقی می مانند و از بهر بهبود بخشیدن به تملک مجاز ECD اثبات شده اند.

خرید این محصول

برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

خرید این محصول

» :: صفت 23. گفتگوها جدید زیرآستانه ای باب فناوری CMOS 65 نانومتری

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

چکیده

در این مقاله، در مناسبت چالشهای جوراجور کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی از بهر یافتن بهترین بزک در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. از بهر پشتیبانی از مباحث تئوری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جهت های الوان مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج تالی سازی نشان باده دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین دوران جاده اندازی  و زمان نگهداری  نیز بهبود می یابد.

خرید این محصول

برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

خرید این محصول

» :: برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ایا باب فناوری CMOS 65 نانومتری

تجمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستان ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

چکیده 

باب این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی عرضه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، حرف پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف حداقل سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج تالی سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 حرف 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای اطعام زیر 0.3V نشان میدهد.

مقدمه 

استحاله مقیاس ولتاژ تغذیه  یکی از موثرترین راهها باب کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه پایه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه باده باشد. اما باب این روش، عملکرد مدار به حافظه رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را باب فرایندهای زیرمیکرونی ژرف برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه  می‌گردد که توانایی استعمال از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی   - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بری اعمال روشهای خاص، حاصل زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. روانی مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که باب ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 دید می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور باب حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، باب کاربردهای با مصرف توان بسیار پست (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین آماج طرح‌ریزی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع تاخت بیت A و B حرف بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع)  و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند.  

خرید این محصول