گوگل مارکت
فروش فایل ,دانلود فایل,خرید فایل,دانلود رایگان فایل,دانلود رایگانگوگل مارکت
فروش فایل ,دانلود فایل,خرید فایل,دانلود رایگان فایل,دانلود رایگانبرق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
» :: صفت 23. گفتگوها جدید زیرآستانه ای باب فناوری CMOS 65 نانومتری
مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
چکیده
در این مقاله، در مناسبت چالشهای جوراجور کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی از بهر یافتن بهترین بزک در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. از بهر پشتیبانی از مباحث تئوری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جهت های الوان مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج تالی سازی نشان باده دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین دوران جاده اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
برق 22. طراحی بهینه با در نظر گرفتن تاثیر وزن بر ژنراتور آهنربا-ثابت همزمان با شار محوری و سیم¬پیچی متمرکز قطب
» :: برق 22. طرح‌ریزی بهینه حرف در نظر گرفتن تاثیر وزن بر ژنراتور آهنربا-ثابت همزمان با شار محوری و سیم¬پیچی متمرکز قطب
طراحی بهینه با در نظر گرفتن تاثیر وزن بر دینام آهنربا-ثابت همزمان با شار محوری و سیم¬پیچی تمرکزیافته قطب
چکیده- در این مقاله بهینه¬سازی بهره¬وری یک ژنراتور همزمان با شار مغناطیسی استوار و با سیم¬پیچهای تمرکزیافته قطب با مشخصات 3.6kw/2000rpm و برای کاربردهای گرمایی و کاربردهای حوزه¬ی قدرت بررسی شده است. از آنجا که بهره¬وری سیستم دارای اهمیت می¬باشد لذا معیارهای خاصی به سمت منظور کاهش تلفات در ابزار در نظر گرفته شده است. یک مطالعه نیز حرف استفاده از روش تحلیلی و روش المان محدود برای بررسی تاثیر مجموعه¬ی محدودی از پارامترهای هندسی بر روی بهره¬وری این سنخ ماشینها انجام پذیرفته است. در مدل تحلیلی همانند مدل المان محدود، هندسه سه بعدی ذاتی شار آسه‌ای ماشین، بوسیله¬ی مدلهای چندگانه¬ی دو آتی در شعاعهای پیرامونی مختلف آن تخمین زده شده است. پشت از آن، اثر وزن بر روی مقادیر بهینه¬ی پارامترهای هندسی و همچنین بر روی بهره¬وری، مد نظر قرار داده شده است و مشخص گردید که وزن می¬تواند به میزان زیادی کاهش داده شود در حالی که تاثیر این کاهش وزن در کاهش بهره¬وری بسیار محدود خواهد بود. در آخر نتیجه¬ی هر دو روش با اندازه¬گیری¬هایی حرف روی یک الگو با یکدیگر مقایسه شده¬اند تا صحت آنها تخمین زده شود.
برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
» :: برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ایا باب فناوری CMOS 65 نانومتری
تجمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستان ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
چکیده
باب این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی عرضه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، حرف پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف حداقل سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج تالی سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 حرف 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای اطعام زیر 0.3V نشان میدهد.
مقدمه
استحاله مقیاس ولتاژ تغذیه یکی از موثرترین راهها باب کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه پایه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه باده باشد. اما باب این روش، عملکرد مدار به حافظه رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را باب فرایندهای زیرمیکرونی ژرف برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه می‌گردد که توانایی استعمال از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بری اعمال روشهای خاص، حاصل زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. روانی مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که باب ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 دید می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور باب حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، باب کاربردهای با مصرف توان بسیار پست (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین آماج طرح‌ریزی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع تاخت بیت A و B حرف بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع) و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند.
برق 29. استتار نوری با استفاده از فناوری پرتوافکنی retro-reflective (پس‌بازتابگر)
» :: برق 29. استتار نوری با استعمال از فناوری پرتوافکنی retro-reflective (پس‌بازتابگر)
اختفا نوری با استفاده از فناوری پرتوافکنی retro-reflective (پس‌بازتابگر)
چکیده
این نوشته نوعی سیستم استتارِ اکتیو موسوم به سمت استتار نوری را توصیف می‌کند. اختفا نوری از فناوری پرتوزایی Retro-reflective (بازتابشی) استفاده می‌کند، یک سیستم تقویت‌شده مبتنی بر پرتوافکنی که شامل یک پروژکتور با یک عنبیه کوچک و یک صفحه بازتاباننده (بازتابشی) است.
جسمی که قرار است شفاف (پشت‌نما) شود، صورتگری شده و الا با یک ماده بازتاباننده پوشش داده می‌شود. سپس یک پروژکتور عکس پشت‌زمینه را روی ثانیه پرتره می‌کند و بدین ترتیب جسم پوششی را بطور مجازی پشت‌نما می‌کند.
برق 25. وارد نمودن تغییرات کوتاه مدت باد در توزیع اقتصادی بار
» :: برق 25. وارد نمودن تغییرات خلاصه مدت باد در پخش اقتصادی بار
وارد نمودن تغییرات کوتاه مدت باد باب توزیع اقتصادی بار
چکیده- تصادفی بودن تعجیل باد در یک مقدار متوسط پایدار و دریک دوره¬ی کوتاه مدت تماماً Short duration wind variation گفته می¬شود. این مقاله اثر واردسازی ظرفیتهای قابل توجه پدیدآوری منسوب به باد را در مبحث توزیع بهینه¬ی بار، در شرایطی که منبع بادی به تغییرات کوتاه مدت حساس است، بررسی می¬نماید. فرمول¬بندی تحلیلی مساله¬ی توزیع اقتصادی پاس (ELD )، حرف در نظر گرفتن تولید توان بادی، برای دو مورد که در یکی تلفات توان در نظر گرقته می¬شود و در دیگری از این تلفات صرف نظر می-شود، به صورت جداگانه بررسی شده است. باب تمام یک از این فرمول¬بندی¬ها، تاثیر تغییرات کوتاه مدت بار به عنوان یک مقدار اضافه شده در نظر گرفته شده است و از این طریق از پیچیدگی مدلهای تصادفی اجتناب شده است. مطالعه¬ی موردی سه ژنراتوری و 20 ژنراتوری جانب آشکار نمودن جنبه¬های متمایز مساله¬ی ELD مورد بحث قرار گرفته¬اند. در ابتدا، هزینه¬ی بهینه، تلفات و سیستم- λ در سرعت¬های متوسط استوار کوتاه زمان باد ارائه شده¬اند. پس از آن، زودرنجی این سه معیار به سطح‌ها متفاوت تغییرات کوتاه مدت سرعت باد بحث شده¬است.