گوگل مارکت
فروش فایل ,دانلود فایل,خرید فایل,دانلود رایگان فایل,دانلود رایگانگوگل مارکت
فروش فایل ,دانلود فایل,خرید فایل,دانلود رایگان فایل,دانلود رایگانبرق 85. تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
» :: برق 85. استحکام کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
چکیده__ این مقاله یک استحکام عامل ی شبه-تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حال جریان و استحکام کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار حرف استعمال از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات استطاعت مدار 0.96 میکرووات باده باشد.
برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
» :: برق 96. بازشناخت مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بری اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، اسم شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
چکیده__در این مقاله، ضمیر اول شخص جمع یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بری اتصال (JL) و یک ترانزیستور را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. باب اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور به آغاز یک بار، عمل می کند. ضمیر اول شخص جمع بنابر داده‌ها اندازه گیری شده ی ترانزیستور ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش روی 46. 1% نیز دست اور دیگر ضمیر اول شخص جمع است.
برق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
» :: برق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی باب مدارات CMOS
LECTOR: روشی برای افت نشتی در مدارات CMOS
چکیده___در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستان به دلیل مقیاس بندی ولتاژ،منتهی به سمت جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. باب اینجا ضمیر اول شخص جمع روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. باب روش اعلام شده ما،دو ترنزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) پیوسته به ازای تمام ترکیب ورودی،نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به سمت گراند را کاهش داده،که این کشیده به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت دوایر فرضی موازی باخط استوا داده شده،نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبادل شده،و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که باب هر دو حالت پرکار و غیرفعال مدار،فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین،روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری انتساب به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج آزمایشی نشان دهنده ی یک افت نشتی متوسط 79. 4 درصدی را از بهر مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 آرم می دهند.
برق 119. مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه مجتمع با کنترل توان - توزیعی
» :: صفت 119. صفت DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه مجتمع با کنترل توان - توزیعی
مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه انجمن حرف کنترل توان - توزیعی
چکیده: این مقاله یک مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست خروجی دوگانه تک سلفه ( SIDO) کاملاً انجمن با کنترل توان – توزیعی را ارائه می دهد. این کانورتر اسم پایین کنترل مد ولتاژ برای داشتن امنیت بهتر در مقابل نویز کار می کند و از سوئیچهای قدرت/اجزای جبرانسازی خارجی کمتری برای کاهش هزینه استفاده می کند و بنابراین برای کاربردهای سیستم های با تراشه (SoC) درخور است. کانورتر SIDO پیشنهادی در تکنولوژی TSMC .35 µm 2P4M CMOS با ولتاژ منبع ورودی 2.7-3.3 ولت ساخته شده است.
خروجی اول VO1 می تواند در هر یک از مدهای باک یا بوست عمل کند (ولتاژ خروجی بین 2.5 حرف 5ولت)، باب حالیکه خروجی دوم VO2 می تواند فقط در مد بوست عمل کند (ولتاژ خروجی 3.6 ولت).
برق 118. ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
» :: صفت 118. ضرب عامل ولتاژ حاکی بر اینورتر CMOS جدید
ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
چکیده__ چهار زدن عامل ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. زدن کننده های ولتاژ ارایه شده که اعمال یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب عامل ولتاژ با ولتاژ برون‌داد مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح قاچ ی بری پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.